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Micron bringt NAND-Flash der 9. Generation auf den Markt

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Micron Technology, Inc. hat den Beginn der Massenproduktion seiner neunten Generation (G9) TLC NAND in SSDs angekündigt und markiert damit einen bedeutenden Meilenstein in der Branche. G9 NAND verfügt über eine Übertragungsrate von 3,6 GB/s und bietet eine hervorragende Bandbreite zum Lesen und Schreiben von Daten. Diese fortschrittliche NAND-Technologie soll die Leistung künstlicher Intelligenz (KI) und datenintensiver Anwendungen auf persönlichen Geräten, Edge-Servern, Unternehmen und Cloud-Rechenzentren verbessern.

Scott DeBoer, Executive Vice President für Technologie und Produkte bei Micron, hob die technologischen Fortschritte hervor und sagte: „Die Lieferung von Micron G9 NAND zeigt Microns Exzellenz in Prozesstechnologie und Designinnovationen.“ G9 NAND bietet eine bis zu 73 % höhere Dichte.

Microns G9 NAND erreicht eine 50-prozentige Steigerung der Datenübertragungsgeschwindigkeit im Vergleich zu allen NANDs, die derzeit in SSDs verwendet werden. Es verfügt außerdem über eine um bis zu 99 % höhere Schreibbandbreite und eine um 88 % bessere Lesebandbreite sterben im Vergleich zu bestehenden konkurrierenden NAND-Lösungen. Diese Verbesserungen führen zu erheblichen Leistungs- und Energieeffizienzsteigerungen bei SSDs und eingebetteten NAND-Lösungen. G9 NAND passt in ein kompaktes 11,5 mm x 13,5 mm großes Gehäuse und benötigt 28 % weniger Platz als Konkurrenzprodukte, was es zum kleinsten NAND mit hoher Dichte auf dem Markt macht. Dieser geringere Platzbedarf maximiert die Designoptionen für verschiedene Anwendungssituationen.

Sumit Sadana, Executive Vice President und Chief Business Officer bei Micron, betonte: „Micron ist in der dritten Generation in Folge führend in der Branche bei der Einführung innovativer NAND-Technologie. Produkte, die Micron G9 NAND integrieren, werden erhebliche Leistungsvorteile gegenüber Konkurrenzlösungen bieten.“

Die Micron 2650 NVMe SSD verfügt über G9 TLC NAND, um ein überragendes Benutzererlebnis im täglichen Computerbetrieb zu bieten, das die Konkurrenz im PCMark 10-Test übertrifft. Prasad Alluri, Vizepräsident und General Manager für Client Storage bei Micron, erklärte: „Die Micron 2650 SSD nähert sich dem theoretischen Sättigungsniveau für PCIe Gen 4 und nutzt unser neues G9 NAND, um neu zu definieren, was eine wertvolle TLC-Client-SSD leisten kann.“ Im Vergleich zu Konkurrenzlösungen liefern Laufwerke bis zu 38 % höhere PCMark 10-Benchmark-Ergebnisse.

Jeff Janukowicz, Research Vice President für Solid State Drives und Enabling Technologies bei IDC, bemerkte: „KI-Fortschritte generieren mehr Daten und erhöhen den Bedarf an verbesserter Speicherleistung. SSDs wie die Micron 2650, die die neuesten NAND-Innovationen nutzen, werden von entscheidender Bedeutung sein.“ ein breites Spektrum an Nutzern.“

Die Micron 2650 NVMe SSD bietet dank ihres Dynamic SLC Cache zuverlässige Leistung mit beschleunigtem Caching für schnellere Schreibgeschwindigkeiten. Es erreicht eine sequentielle Leseleistung von bis zu 7.000 MB/s für PCIe Gen 4 und übertrifft die Konkurrenz mit bis zu 70 % besserem sequentiellem Lesen, bis zu 103 % besserem sequentiellem Schreiben, bis zu 156 % besserem Zufallslesen und bis zu 85 % besserem Zufallslesen schreiben . Diese Kennzahlen unterstreichen Microns Engagement für die Weiterentwicklung der Technologie und die Bereitstellung leistungsstarker Lösungen.