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Samsungs 2-nm-Knoten mit neuer Stromversorgung

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Neuesten Berichten zufolge wird Samsung Foundry seinen neuen SF2-Herstellungsprozess (2-nm-Klasse) als erster mit Backside Power Delivery (BSPDN) einsetzen. Chosun.com berichtet, dass die vielversprechenden Ergebnisse, die mit Backside Power Delivery erzielt wurden, Samsungs Sicht auf die Technologie verändert haben. Dies hat das Unternehmen dazu veranlasst, den Einsatz von BSPDN in einem kommerziellen Prozess in Betracht zu ziehen.

Es wurde erwartet, dass Samsung mit seinem 1,7-nm-Klasse-Fertigungsknoten Backside-Power-Delivery einführen würde, aber stattdessen wird es im Jahr 2025 mit dem SF2-Prozessknoten kommen. Wie Tom's Hardware betont, gibt es auf Samsungs aktueller Roadmap keine 1,7-nm-Klasse-Knoten . Wir können nur die Prozessknoten SF2, SF2P und SF1.4 sehen.

Samsung hat zwei Testchips basierend auf der Arm-Architektur mit Backside-Power-Delivery verwendet und eine Reduzierung im Bereich von 10 % bis 19 % erreicht, ohne der Welt mitzuteilen, welcher Prozessknoten verwendet wurde.

Die Stromversorgung auf der Rückseite ermöglicht dickere Drähte mit geringerem Widerstand, die mehr Strom und damit mehr Leistung bei geringerem Stromverbrauch liefern können. Das Forschungspapier von Samsung zeigte, dass die Stromversorgung auf der Rückseite Vorteile wie eine 3,6-prozentige Steigerung von Fmax, eine 2,4-prozentige Reduzierung der Standardblockfläche und eine 1,6-prozentige Verbesserung der Standardblockleistung mit sich bringt.

Es scheint, dass die Entscheidung von Samsung, Backside Power Delivery in die kommende SF2-Prozesstechnologie einzubeziehen, eine Reaktion auf die Fortschritte von Intel mit seinen Intel 20A- und Intel 18A-Produktionstechnologien im Jahr 2025 und dem kommenden N2P-Prozess von TSMC ist, der 2026–2027 vom Band läuft.