Samsung präsentiert dünnsten LPDDR5X DRAM

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Samsung kündigt die Massenproduktion der branchenweit dünnsten 12-nm-LPDDR5X-DRAM-Pakete mit Kapazitäten von 12 und 16 GB an. Diese Chips steigern die Leistung für Hochleistungsanwendungen wie KI.

Samsung hat die Massenproduktion der branchenweit dünnsten 12-Nanometer-LPDDR5X-DRAM-Pakete mit Kapazitäten von 12 und 16 Gigabyte (GB) angekündigt. Samsung hat seine umfangreiche Expertise im Chip-Packaging genutzt und ultradünne LPDDR5X-DRAM-Pakete entwickelt, die den Platz in Mobilgeräten maximieren.

Dies verbessert den Luftstrom und die Wärmekontrolle. Im Vergleich zur Vorgängergeneration sind es ca. 9 % dünner und hat eine um 21,2 % verbesserte Hitzebeständigkeit. Dies ist wichtig für Hochleistungsanwendungen mit erweiterten Funktionen wie der On-Device-KI.

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Durch optimierte Leiterplatten- (PCB) und Epoxy-Mold-Bonding-Techniken (EMC) erreicht das neue LPDDR-DRAM-Paket eine bemerkenswerte Dicke von 0,65 Millimetern (mm) und übertrifft damit alle bestehenden LPDDR-DRAM-Alternativen mit 12 GB oder mehr.

Das raffinierte Back-Läppverfahren von Samsung minimiert zudem die Pakethöhe. Samsung möchte seine Präsenz auf dem Low-Power-DRAM-Markt ausbauen, indem es 0,65-mm-LPDDR5X-DRAM sowohl an Hersteller mobiler Prozessoren als auch an Geräte liefert. Da die Nachfrage nach leistungsstarken mobilen Speicherlösungen mit hoher Dichte in kompakten Gehäusen weiter steigt, plant das Unternehmen die Einführung noch dünnerer LPDDR-DRAM-Pakete, darunter 6-schichtige 24-GB- und 8-schichtige 32-GB-Module, für zukünftige Geräte.

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YongCheol Bae, Executive Vice President of Memory Product Planning bei Samsung Electronics, sagte bei der Präsentation: „Samsungs LPDDR5X DRAM setzt einen neuen Standard für leistungsstarke KI-Lösungen auf Geräten und bietet nicht nur überlegene LPDDR-Leistung, sondern auch fortschrittliches Wärmemanagement.“ ein ultrakompaktes Paket. Durch die enge Zusammenarbeit mit unseren Kunden setzen wir auf kontinuierliche Innovation und liefern Lösungen, die den Anforderungen der Zukunft im DRAM-Markt mit geringem Stromverbrauch gerecht werden.“

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